摘要:
根据芯片/磨粒/抛光盘三体接触当量梁的弯曲假设,建立了更加准确合理的CMP过程磨粒压入芯片表面深度的理论模型。新模型包含了更加丰富的信息,包括磨粒的直径、磨粒的浓度、磨粒的密度、抛光盘的弹性模量、芯片的表面硬度,特别是磨粒的浓度和密度的影响,在前人的模型中往往被忽视。最后对理论模型进行了试验验证,结果表明,理论预测规律与试验结果基本一致。
中图分类号:
蒋建忠1, 袁晓林2, 赵永武1.
CMP过程磨粒压入芯片表面深度的影响因素分析
[J]. 中国机械工程, 2011, 22(15): 1783-1787.
JIANG Jian-Zhong-1, YUAN Xiao-Lin-2, DIAO Yong-Wu-1.
Factors Influencing Indentation Depth of a Particle into Wafer Surface in CMP
[J]. China Mechanical Engineering, 2011, 22(15): 1783-1787.