摘要:
开展了高阻半导体硅深小孔放电加工试验研究,通过在工件硅上附加机械振动,研究振幅和频率对其放电穿孔加工效率的影响规律。试验表明:随着振幅的增大,加工效率先增加后降低;随着频率的增加,加工效率逐渐提高。原因在于随着振幅的增大,极间冷却排屑效果改善,短路率下降,火花放电机率升高;但当振幅大于放电间隙时,硅与工具电极会产生直接撞击,火花放电机率下降。随着振动频率的增大,脉冲利用率升高。最后,对电阻率为2.1Ω·cm的P型半导体硅进行放电穿孔加工,实现了直径为0.3mm、深径比为25.3的深小孔的加工,并加工了边长为0.9mm的正三角形小孔。
中图分类号:
曹银风, 刘志东, 邱明波, 田宗军, 黄因慧.
高阻半导体硅振动式深小孔放电加工研究
[J]. 中国机械工程, 2011, 22(7): 767-771.
CAO Yin-Feng, LIU Zhi-Dong, QIU Meng-Bei, TIAN Zong-Jun, HUANG Yin-Hui.
Study on Vibrating EDM of Deep Micro-hole on High Resistance Silicon
[J]. China Mechanical Engineering, 2011, 22(7): 767-771.